세종대 연구자를 소개합니다.
| 성명 | 이원준 | ||||
| 학과 | 나노신소재공학과 | ||||
| 연구분야 | 반도체제조용 공정/소재/장비의 연구개발 - Atomic layer deposition (ALD) - precursor, in situ analysis, DFT simulation - 3D packaging - hybrid bonding, FEM simulation | ||||
| 연구실 |
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| 관련지재권 정보 | 발명의 명칭 | 출원 번호 | 등록 번호 | ||
| ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및 금속 박막의 형성 방법 | 10-2022-0114421 | 10-2597576 |
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| 원자층 증착법을 이용한 Ti-Te 막 증착 방법, 및 Ti-Te 분리막을 포함하는 다층 상변화 구조체 및 상변화 메모리 소자 | 10-2018-0018357 | 10-2259289 | |||
| 평탄화 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 | 10-2019-0151284 | 10-2272808 |
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| 원자층 증착을 이용한 칼코겐-함유 막의 제조 방법 | 10-2016-0052914 | 10-1952729 |
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| 칼코겐-함유 막 및 이의 제조 방법 | 10-2015-0162322 | 10-1851722 |
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| 실리콘 질화막의 증착 방법 및 상기 실리콘 질화막의 증착 장치 | 10-2017-0056450 | 10-1968966 |
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| 다층 상변화 물질막 및 이의 제조 방법,이를 포함하는 상변화 메모리 소자 | 10-2017-0061660 | 10-1935348 |
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| 성명 | 학과 |
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| 이원준 | 나노신소재공학과 |
| 연구분야 | |
| 반도체제조용 공정/소재/장비의 연구개발 - Atomic layer deposition (ALD) - precursor, in situ analysis, DFT simulation - 3D packaging - hybrid bonding, FEM simulation | |
| 관련지재권 정보 | |
| 발명의 명칭 |
등록번호
특허공보
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| ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및 금속 박막의 형성 방법 |
10-2597576
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| 원자층 증착법을 이용한 Ti-Te 막 증착 방법, 및 Ti-Te 분리막을 포함하는 다층 상변화 구조체 및 상변화 메모리 소자 |
10-2259289
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| 평탄화 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 |
10-2272808
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| 원자층 증착을 이용한 칼코겐-함유 막의 제조 방법 |
10-1952729
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| 칼코겐-함유 막 및 이의 제조 방법 |
10-1851722
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| 실리콘 질화막의 증착 방법 및 상기 실리콘 질화막의 증착 장치 |
10-1968966
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| 다층 상변화 물질막 및 이의 제조 방법,이를 포함하는 상변화 메모리 소자 |
10-1935348
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