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| 기술명 |
전자 방출 장치의 음극부 구조 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 이내성 | 나노공학전공 |
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| 대표연구분야 | • CVD 및 전기방전을 이용한 고결정 CNT 합성 연구 • 엑스선 튜브, UV 램프 및 여러 전자빔 응용을 위한 CNT 페이스트 기반의 전계방출 에미터 연구 • 탄소나노소재를 이용한 열전도성 복합소재 연구 • 탄소나노소재를 이용한 유연 투명 박막히터 및 투명전극 연구 | |||
| 출원번호 | 10-2009-0116765 | 등록번호 | 10-1121639 | |
| 출원일 | 2009-11-30 | 등록일 | 2012-02-22 | |
| 특허원문 |
▷ 본 발명은 전자 방출 장치의 음극부 구조에 관한 것으로서, 전자를 방출하는 음극부; 및 상기 음극부의 상부에 배치되는 양극부;를 포함하는 전자 방출 장치에 있어서, 상기 음극부는, 표면에 요철이 형성된 기판; 및 상기 기판의 상부에 형성되는 에미터;를 포함하는 것을 특징으로 하며, 음극부의 기판에 형성된 요철에 의해 에미터로부터 방출되는 단위 면적당 방출 전류를 최대화시킬 수 있는 음극부를 제공할 수 있다.
▷ 이와 같은 본 발명에 따르면, 음극부의 기판에 형성된 요철에 의해 낮은 전계에서도 에미터로부터 방출되는 전자의 전류 밀도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명에서는 레이저 또는 기계적 가공을 통해 요철이 있는 기판을 형성함으로써 제조가 간단한 전자 방출 장치의 음극부 구조를 제공할 수 있다. 더욱이, 본 발명에 따르면, 별도의 구조 변경 없이 현재 시중에 존재하는 전자 방출 장치에 바로 적용할 수 있으므로 비용적 측면에서 유리한 효과가 있다. |
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| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 전기전자 | 기술분야 | 전기·전자 | |
| 적용분야 | 전계방출장치 | |||
| 기술명 | |
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전자 방출 장치의 음극부 구조 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
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이내성
|
나노공학전공 |
| 대표연구분야 | |
| • CVD 및 전기방전을 이용한 고결정 CNT 합성 연구 • 엑스선 튜브, UV 램프 및 여러 전자빔 응용을 위한 CNT 페이스트 기반의 전계방출 에미터 연구 • 탄소나노소재를 이용한 열전도성 복합소재 연구 • 탄소나노소재를 이용한 유연 투명 박막히터 및 투명전극 연구 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2009-0116765 | 10-1121639 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2009-11-30 | 2012-02-22 |
| 특허원문 | |
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▷ 본 발명은 전자 방출 장치의 음극부 구조에 관한 것으로서, 전자를 방출하는 음극부; 및 상기 음극부의 상부에 배치되는 양극부;를 포함하는 전자 방출 장치에 있어서, 상기 음극부는, 표면에 요철이 형성된 기판; 및 상기 기판의 상부에 형성되는 에미터;를 포함하는 것을 특징으로 하며, 음극부의 기판에 형성된 요철에 의해 에미터로부터 방출되는 단위 면적당 방출 전류를 최대화시킬 수 있는 음극부를 제공할 수 있다.
▷ 이와 같은 본 발명에 따르면, 음극부의 기판에 형성된 요철에 의해 낮은 전계에서도 에미터로부터 방출되는 전자의 전류 밀도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명에서는 레이저 또는 기계적 가공을 통해 요철이 있는 기판을 형성함으로써 제조가 간단한 전자 방출 장치의 음극부 구조를 제공할 수 있다. 더욱이, 본 발명에 따르면, 별도의 구조 변경 없이 현재 시중에 존재하는 전자 방출 장치에 바로 적용할 수 있으므로 비용적 측면에서 유리한 효과가 있다. |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 전기·전자 | 전계방출장치 |