기술이전센터에서 보유하고 있는 지재권을 자세히 소개해드립니다
| 기술명 |
도핑된 그래핀 패턴의 제조방법 및 그 제조방법을 포함하는 p-n 다이오드의 제조방법 |
Image Not Found
|
||
| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 김근수 | 물리학과 |
|
||
| 대표연구분야 | 나노전자소재연구실-고체물리실험 (그래핀, 탄소나노튜브, VO2 등의 나노소재 합성 및 응용) | |||
| 출원번호 | 10-2014-0027921 | 등록번호 | 10-1563806 | |
| 출원일 | 2014-03-10 | 등록일 | 2015-10-21 | |
| 특허원문 | -그래핀 패턴의 품질을 향상시킬 수 있는 도핑된 그래핀 페턴의 제조방법과, 그 제조방법을 포함하는 p-n 다이오드의 제조방법 제공 -별도의 포토리소그래피 공정 없이 간단한 공정을 통해 그래핀 패턴을 형성할 수 있는 도핑된 그래핀 패턴의 제조 방법 제공 |
|
||
| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 재료 | 기술분야 | 재료·화학 | |
| 적용분야 | 투명전극, 슈커커패시터 | |||
| 기술명 | |
|---|---|
|
도핑된 그래핀 패턴의 제조방법 및 그 제조방법을 포함하는 p-n 다이오드의 제조방법 |
|
| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
|
김근수
|
물리학과 |
| 대표연구분야 | |
| 나노전자소재연구실-고체물리실험 (그래핀, 탄소나노튜브, VO2 등의 나노소재 합성 및 응용) | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2014-0027921 | 10-1563806 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2014-03-10 | 2015-10-21 |
| 특허원문 | |
| -그래핀 패턴의 품질을 향상시킬 수 있는 도핑된 그래핀 페턴의 제조방법과, 그 제조방법을 포함하는 p-n 다이오드의 제조방법 제공 -별도의 포토리소그래피 공정 없이 간단한 공정을 통해 그래핀 패턴을 형성할 수 있는 도핑된 그래핀 패턴의 제조 방법 제공 | |
|
|
|
| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 재료·화학 | 투명전극, 슈커커패시터 |