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| 기술명 |
그래핀 양자점 중간층을 포함하는 전자 소자 및 그의 제조방법 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 홍영준 | 나노신소재공학과 |
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| 대표연구분야 | ||||
| 출원번호 | 10-2017-0015374 | 등록번호 | 10-1916904 | |
| 출원일 | 2017-02-03 | 등록일 | 2018-11-02 | |
| 특허원문 | 본 기술은 그래핀 양자점 중간층을 포함하는 전자 소자 및 그의 제조방법에 관한것으로, 정공수송층과 발광층 사이에 중간층을 삽입하여 에너지장벽의 높이를 낮추고, 삽입된 중간층은 형광공명에너지전달 (FRET) 현상이 일어나는 활성층의 역할을 할 수 있어, 발광효율을 향상시킬 수 있음 |
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| 상세기술정보 3 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 발광 소자의 에너지준위 조절 기술 |
▷나노복합체의 전체저항을 감소시켜 전기화학적 특성이 향상된 나노복합체를 및 이를 포함하는 전극을 사용하여 슈퍼 커패시터를 제조함으로써 고출력, 고에너지 및 고내구성 특성을 구현하기 위한 기술
▷발광 소자의 에너지 준위를 조절하고 변환층 사이의 계면 에너지 장벽의 높이를 낮춰 발광 소자의 발광 효율을 향상시키기 위한 기술 ▷정공 주입층과 정공 수송층 사이에 전도성 고분자 박막층을 중간층으로 삽입하는 구성 선택적 밴드갭과 일함수 조절이 용이한 중간층을 정공수송층과 발광층 혹은 광전변환층 사이의 중간층으로 삽입하는 구성 |
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| 관련동영상 | ||||
| 기술분류(대) | 전기전자 | 기술분야 | 전기·전자 | |
| 적용분야 | 발광소자, 디스플레이 | |||
| 기술명 | |
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그래핀 양자점 중간층을 포함하는 전자 소자 및 그의 제조방법 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
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홍영준
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나노신소재공학과 |
| 대표연구분야 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2017-0015374 | 10-1916904 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2017-02-03 | 2018-11-02 |
| 특허원문 | |
| 본 기술은 그래핀 양자점 중간층을 포함하는 전자 소자 및 그의 제조방법에 관한것으로, 정공수송층과 발광층 사이에 중간층을 삽입하여 에너지장벽의 높이를 낮추고, 삽입된 중간층은 형광공명에너지전달 (FRET) 현상이 일어나는 활성층의 역할을 할 수 있어, 발광효율을 향상시킬 수 있음 | |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 발광 소자의 에너지준위 조절 기술 |
▷나노복합체의 전체저항을 감소시켜 전기화학적 특성이 향상된 나노복합체를 및 이를 포함하는 전극을 사용하여 슈퍼 커패시터를 제조함으로써 고출력, 고에너지 및 고내구성 특성을 구현하기 위한 기술
▷발광 소자의 에너지 준위를 조절하고 변환층 사이의 계면 에너지 장벽의 높이를 낮춰 발광 소자의 발광 효율을 향상시키기 위한 기술 ▷정공 주입층과 정공 수송층 사이에 전도성 고분자 박막층을 중간층으로 삽입하는 구성 선택적 밴드갭과 일함수 조절이 용이한 중간층을 정공수송층과 발광층 혹은 광전변환층 사이의 중간층으로 삽입하는 구성 |
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| 기술분야 | 적용분야 |
| 전기·전자 | 발광소자, 디스플레이 |