기술이전센터에서 보유하고 있는 지재권을 자세히 소개해드립니다
| 기술명 |
저잡음 후면 조사 이미지 센서 및 이의 제조 공정 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 정종완 | 나노신소재공학과 |
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| 대표연구분야 | ||||
| 출원번호 | 10-2018-0062805 | 등록번호 | 10-2113041 | |
| 출원일 | 2018-05-31 | 등록일 | 2020-05-14 | |
| 특허원문 | 본 발명은 반도체 기판의 후면에 흡수층을 사용하지 않고, 후면 패시베이션층으로서 SiGe 또는 p-타입 SiGe를 성장시킴으로써 제조되는 후면 조사 이미지 센서에 대한 것이다. 이로써 실리콘 표면에 홀이 축적될 수 있는 층이 형성되어 실리콘과 SiGe 또는 p-타입 SiGe의 밴드정렬에 의해 가전자대역의 밴드오프셋이 발생하고, 따라서 이러한 가전자대역의 밴드오프셋으로 인해 정공이 표면에 축적되는 효과가 발생할 수 있다. |
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| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 재료 | 기술분야 | 재료·화학 | |
| 적용분야 | 이미지 센서 | |||
| 기술명 | |
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저잡음 후면 조사 이미지 센서 및 이의 제조 공정 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
|
정종완
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나노신소재공학과 |
| 대표연구분야 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2018-0062805 | 10-2113041 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2018-05-31 | 2020-05-14 |
| 특허원문 | |
| 본 발명은 반도체 기판의 후면에 흡수층을 사용하지 않고, 후면 패시베이션층으로서 SiGe 또는 p-타입 SiGe를 성장시킴으로써 제조되는 후면 조사 이미지 센서에 대한 것이다. 이로써 실리콘 표면에 홀이 축적될 수 있는 층이 형성되어 실리콘과 SiGe 또는 p-타입 SiGe의 밴드정렬에 의해 가전자대역의 밴드오프셋이 발생하고, 따라서 이러한 가전자대역의 밴드오프셋으로 인해 정공이 표면에 축적되는 효과가 발생할 수 있다. | |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 재료·화학 | 이미지 센서 |