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| 기술명 |
식각 저지층을 이용한 후면 조사 이미지 센서의 제조공정 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 정종완 | 나노신소재공학과 |
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| 대표연구분야 | ||||
| 출원번호 | 10-2018-0062824 | 등록번호 | 10-2150546 | |
| 출원일 | 2018-05-31 | 등록일 | 2020-08-26 | |
| 특허원문 | 식각 저지층으로서 SiGe 층, p-타입 도핑된 SiGe 층, n-타입 도핑된 SiGe 층, 또는 SiC 에피 층을 이용하는 것을 포함하는, 후면 조사 이미지 센서의 제조 공정에 관한 것이다 |
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| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 재료 | 기술분야 | 재료·화학 | |
| 적용분야 | 이미지센서 | |||
| 기술명 | |
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식각 저지층을 이용한 후면 조사 이미지 센서의 제조공정 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
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정종완
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나노신소재공학과 |
| 대표연구분야 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2018-0062824 | 10-2150546 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2018-05-31 | 2020-08-26 |
| 특허원문 | |
| 식각 저지층으로서 SiGe 층, p-타입 도핑된 SiGe 층, n-타입 도핑된 SiGe 층, 또는 SiC 에피 층을 이용하는 것을 포함하는, 후면 조사 이미지 센서의 제조 공정에 관한 것이다 | |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 재료·화학 | 이미지센서 |