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기술명

자외선 검출 소자 및 이의 제조 방법

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권리구분 특허
출원인 세종대 산학협력단
대표발명자 이름 소속학과 연구실
임유승 지능기전공학과
대표연구분야 *주요연구분야 - Power semiconductor materials & devices - Neuromorphic devices - Wearable healthcare sensor platform - Biosensor platform for neurotransmitter detection
출원번호 10-2020-0156011 등록번호 10-2563180
출원일 2020-11-19 등록일 2023-07-31
특허원문 본 발명은 투명 전도성 산화물의 오믹/쇼트키 이종접합 기반의 산화갈륨 자외선 검출소자에 관한 것으로, Sn 도핑된 베타산화갈륨(Sn-doped β-Ga2O3) 웨이퍼 상에 Si 도핑된 베타산화갈륨(Si-doped β-Ga2O3) epitaxy층을 성장시켜 기판을 형성함 기판 하부에는 오믹접합으로 ITO 투명전극(Cathode전극)이 사용되며, 기판 상부에는 쇼트키접합으로 IZTO 투명전극(Anode 전극)이 사용됨
상세기술정보 1 기술명 기술요약
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기술분류(대) 전기전자 기술분야 전기·전자
적용분야 자외선 검출기, 광센서
기술명

자외선 검출 소자 및 이의 제조 방법

권리구분 출원인
특허 세종대 산학협력단
대표발명자
이름 소속학과
임유승 지능기전공학과
대표연구분야
*주요연구분야 - Power semiconductor materials & devices - Neuromorphic devices - Wearable healthcare sensor platform - Biosensor platform for neurotransmitter detection
출원번호 등록번호
10-2020-0156011 10-2563180
출원일 등록일
2020-11-19 2023-07-31
특허원문
본 발명은 투명 전도성 산화물의 오믹/쇼트키 이종접합 기반의 산화갈륨 자외선 검출소자에 관한 것으로, Sn 도핑된 베타산화갈륨(Sn-doped β-Ga2O3) 웨이퍼 상에 Si 도핑된 베타산화갈륨(Si-doped β-Ga2O3) epitaxy층을 성장시켜 기판을 형성함 기판 하부에는 오믹접합으로 ITO 투명전극(Cathode전극)이 사용되며, 기판 상부에는 쇼트키접합으로 IZTO 투명전극(Anode 전극)이 사용됨
상세기술정보
기술명 기술요약
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기술분야 적용분야
전기·전자 자외선 검출기, 광센서