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| 기술명 |
암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 김동회 | 나노신소재공학과 | |||
| 대표연구분야 | ||||
| 출원번호 | 10-2021-0020936 | 등록번호 | 10-2514070 | |
| 출원일 | 2021-02-17 | 등록일 | 2023-03-21 | |
| 특허원문 | 페로브스카이트 박막의 결정립계면에 패시베이션 막(passivationlayer)을 형성함으로써, 페로브스카이트 박막의 결정립계를 통해 누설되는 암전류를 줄이고 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트수광소자의 제조방법 페로브스카이트 박막의 결정립계를 통해 누설되는 암전류를 줄이고 소자의 특성을 향상 |
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| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 재료 | 기술분야 | 재료·화학 | |
| 적용분야 | 태양전지 광전소자 | |||
| 기술명 | |
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암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
| 김동회 | 나노신소재공학과 |
| 대표연구분야 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2021-0020936 | 10-2514070 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2021-02-17 | 2023-03-21 |
| 특허원문 | |
| 페로브스카이트 박막의 결정립계면에 패시베이션 막(passivationlayer)을 형성함으로써, 페로브스카이트 박막의 결정립계를 통해 누설되는 암전류를 줄이고 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트수광소자의 제조방법 페로브스카이트 박막의 결정립계를 통해 누설되는 암전류를 줄이고 소자의 특성을 향상 | |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 재료·화학 | 태양전지 광전소자 |