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기술명

초음파를 이용한 산화물 열전재료 위에 확산 방지층 형성을 위한 Pd 전처리 기술

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권리구분 특허
출원인 세종대 산학협력단
대표발명자 이름 소속학과 연구실
박경순 나노신소재공학과
대표연구분야
출원번호 10-2021-0193631 등록번호 10-2474228
출원일 2021-12-31 등록일 2022-11-30
특허원문 본 발명은 초음파를 이용한 산화물 열전재료 위에 확산 방지층 형성을 위한 Pd 전처리 기술에 관한 것으로서, 다음 구성을 가짐 1) 열전재료 (ex. 형 Bi0.93Na0.03Mg0.04CuSeO 열전재료와 n형 Bi1.9Ce0.1O2Se 열전재료)를 Pd 용액 내에 넣고 초음파를 사용하여 Pd 전처리 2)Pd 전처리된 열전재료 상에 확산방지층(ex. Ni-P)을 형성 3) 확산방지층 상에 Ag 전극 형성
상세기술정보 1 기술명 기술요약
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기술분류(대) 전기전자 기술분야 전기·전자
적용분야 열전소자
기술명

초음파를 이용한 산화물 열전재료 위에 확산 방지층 형성을 위한 Pd 전처리 기술

권리구분 출원인
특허 세종대 산학협력단
대표발명자
이름 소속학과
박경순 나노신소재공학과
대표연구분야
출원번호 등록번호
10-2021-0193631 10-2474228
출원일 등록일
2021-12-31 2022-11-30
특허원문
본 발명은 초음파를 이용한 산화물 열전재료 위에 확산 방지층 형성을 위한 Pd 전처리 기술에 관한 것으로서, 다음 구성을 가짐 1) 열전재료 (ex. 형 Bi0.93Na0.03Mg0.04CuSeO 열전재료와 n형 Bi1.9Ce0.1O2Se 열전재료)를 Pd 용액 내에 넣고 초음파를 사용하여 Pd 전처리 2)Pd 전처리된 열전재료 상에 확산방지층(ex. Ni-P)을 형성 3) 확산방지층 상에 Ag 전극 형성
상세기술정보
기술명 기술요약
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기술분야 적용분야
전기·전자 열전소자