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| 기술명 |
초음파를 이용한 산화물 열전재료 위에 확산 방지층 형성을 위한 Pd 전처리 기술 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 박경순 | 나노신소재공학과 |
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| 대표연구분야 | ||||
| 출원번호 | 10-2021-0193631 | 등록번호 | 10-2474228 | |
| 출원일 | 2021-12-31 | 등록일 | 2022-11-30 | |
| 특허원문 | 본 발명은 초음파를 이용한 산화물 열전재료 위에 확산 방지층 형성을 위한 Pd 전처리 기술에 관한 것으로서, 다음 구성을 가짐 1) 열전재료 (ex. 형 Bi0.93Na0.03Mg0.04CuSeO 열전재료와 n형 Bi1.9Ce0.1O2Se 열전재료)를 Pd 용액 내에 넣고 초음파를 사용하여 Pd 전처리 2)Pd 전처리된 열전재료 상에 확산방지층(ex. Ni-P)을 형성 3) 확산방지층 상에 Ag 전극 형성 |
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| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 전기전자 | 기술분야 | 전기·전자 | |
| 적용분야 | 열전소자 | |||
| 기술명 | |
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초음파를 이용한 산화물 열전재료 위에 확산 방지층 형성을 위한 Pd 전처리 기술 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
|
박경순
|
나노신소재공학과 |
| 대표연구분야 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2021-0193631 | 10-2474228 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2021-12-31 | 2022-11-30 |
| 특허원문 | |
| 본 발명은 초음파를 이용한 산화물 열전재료 위에 확산 방지층 형성을 위한 Pd 전처리 기술에 관한 것으로서, 다음 구성을 가짐 1) 열전재료 (ex. 형 Bi0.93Na0.03Mg0.04CuSeO 열전재료와 n형 Bi1.9Ce0.1O2Se 열전재료)를 Pd 용액 내에 넣고 초음파를 사용하여 Pd 전처리 2)Pd 전처리된 열전재료 상에 확산방지층(ex. Ni-P)을 형성 3) 확산방지층 상에 Ag 전극 형성 | |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 전기·전자 | 열전소자 |