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| 기술명 |
차지트랩 기반 시냅스 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 임유승 | 지능기전공학과 |
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| 대표연구분야 | *주요연구분야 - Power semiconductor materials & devices - Neuromorphic devices - Wearable healthcare sensor platform - Biosensor platform for neurotransmitter detection | |||
| 출원번호 | 10-2023-0064390 | 등록번호 | 10-2813035 | |
| 출원일 | 2023-05-18 | 등록일 | 2025-05-22 | |
| 특허원문 | IGZO 채널층을 가진 수평형 트랜지스터에 Ga2O3으로 형성된 차지 트랩층을 터널링층(Al2O3) 하부에 형성함 |
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| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 전기전자 | 기술분야 | 전기·전자 | |
| 적용분야 | 생체 삽입 및 분해 가능한 전자 장치 | |||
| 기술명 | |
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차지트랩 기반 시냅스 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
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임유승
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지능기전공학과 |
| 대표연구분야 | |
| *주요연구분야 - Power semiconductor materials & devices - Neuromorphic devices - Wearable healthcare sensor platform - Biosensor platform for neurotransmitter detection | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2023-0064390 | 10-2813035 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2023-05-18 | 2025-05-22 |
| 특허원문 | |
| IGZO 채널층을 가진 수평형 트랜지스터에 Ga2O3으로 형성된 차지 트랩층을 터널링층(Al2O3) 하부에 형성함 | |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 전기·전자 | 생체 삽입 및 분해 가능한 전자 장치 |