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기술명

구리알루미늄산화물-산화갈륨 이종접합 다이오드 및 그 제조 방법

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권리구분 특허
출원인 세종대 산학협력단
대표발명자 이름 소속학과 연구실
임유승 스마트기기공학전공
대표연구분야 *주요연구분야 - Power semiconductor materials & devices - Neuromorphic devices - Wearable healthcare sensor platform - Biosensor platform for neurotransmitter detection
출원번호 10-2023-0133218 등록번호 10-2791706
출원일 2023-10-06 등록일 2025-04-01
특허원문 구리알루미늄산화물-산화갈륨 이종접합 다이오드 제조 방법은 제1 도전형 β-산화갈륨 웨이퍼의 주면에 제1 도전형 β-산화갈륨 에피층을 성장시키는 단계, 상기 제1 도전형 β-산화갈륨 웨이퍼의 이면에 하부 전극층을 증착하는 단계, 불활성 가스 및 산소 가스의 혼합 가스 분위기에서 상기 제1 도전형 β-산화갈륨 에피층상에 제2 도전형 구리알루미늄산화물층을 증착하는 단계 및 상기 제2 도전형 구리알루미늄산화물층상에 상부 전극층을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
상세기술정보 1 기술명 기술요약
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기술분류(대) 재료 기술분야 재료·화학
적용분야 고전압전류 전력 전송 및 변환(전기자동차, 송전 설비 등)
기술명

구리알루미늄산화물-산화갈륨 이종접합 다이오드 및 그 제조 방법

권리구분 출원인
특허 세종대 산학협력단
대표발명자
이름 소속학과
임유승 스마트기기공학전공
대표연구분야
*주요연구분야 - Power semiconductor materials & devices - Neuromorphic devices - Wearable healthcare sensor platform - Biosensor platform for neurotransmitter detection
출원번호 등록번호
10-2023-0133218 10-2791706
출원일 등록일
2023-10-06 2025-04-01
특허원문
구리알루미늄산화물-산화갈륨 이종접합 다이오드 제조 방법은 제1 도전형 β-산화갈륨 웨이퍼의 주면에 제1 도전형 β-산화갈륨 에피층을 성장시키는 단계, 상기 제1 도전형 β-산화갈륨 웨이퍼의 이면에 하부 전극층을 증착하는 단계, 불활성 가스 및 산소 가스의 혼합 가스 분위기에서 상기 제1 도전형 β-산화갈륨 에피층상에 제2 도전형 구리알루미늄산화물층을 증착하는 단계 및 상기 제2 도전형 구리알루미늄산화물층상에 상부 전극층을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
상세기술정보
기술명 기술요약
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기술분야 적용분야
재료·화학 고전압전류 전력 전송 및 변환(전기자동차, 송전 설비 등)