기술이전센터에서 보유하고 있는 지재권을 자세히 소개해드립니다
| 기술명 |
쇼트키 장벽 심자외선 포토다이오드 및 그 제조 방법 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 임유승 | 반도체시스템공학과 |
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| 대표연구분야 | *주요연구분야 - Power semiconductor materials & devices - Neuromorphic devices - Wearable healthcare sensor platform - Biosensor platform for neurotransmitter detection | |||
| 출원번호 | 10-2024-0038909 | 등록번호 | 10-2826939 | |
| 출원일 | 2024-03-21 | 등록일 | 2025-06-25 | |
| 특허원문 | DUV 검출 성능 및 고온 동작 특성을 향상시키기 위해, 모노 레이어 그래핀을 쇼트키 전극(텅스텐)과 산화갈륨 사이에 개재. 그래핀은 실리콘카바이드상에서 형성한 후 LRGT 방식으로 산화갈륨층에 전사함. |
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| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 재료 | 기술분야 | 재료·화학 | |
| 적용분야 | UV-C 영역의 포토다이오드 (화재감시, 오존감시 등) | |||
| 기술명 | |
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쇼트키 장벽 심자외선 포토다이오드 및 그 제조 방법 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
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임유승
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반도체시스템공학과 |
| 대표연구분야 | |
| *주요연구분야 - Power semiconductor materials & devices - Neuromorphic devices - Wearable healthcare sensor platform - Biosensor platform for neurotransmitter detection | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2024-0038909 | 10-2826939 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2024-03-21 | 2025-06-25 |
| 특허원문 | |
| DUV 검출 성능 및 고온 동작 특성을 향상시키기 위해, 모노 레이어 그래핀을 쇼트키 전극(텅스텐)과 산화갈륨 사이에 개재. 그래핀은 실리콘카바이드상에서 형성한 후 LRGT 방식으로 산화갈륨층에 전사함. | |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 재료·화학 | UV-C 영역의 포토다이오드 (화재감시, 오존감시 등) |