보유 지재권 리스트
기술이전센터에서 보유하고 있는 지재권을 자세히 소개해드립니다
기술명 |
리튬 이차전지용 양극 재료 및 이를 포함하는 리튬이차전지 |
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권리구분 | 특허 | |||
출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
명승택 | 나노신소재공학과 |
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대표연구분야 | 리튬이온이차전지 | |||
출원번호 | 10-2014-0102252 | 등록번호 | 10-1514605 | |
출원일 | 2014-08-08 | 등록일 | 2015-04-16 | |
특허원문 | ▷ 리튬-전이금속 산화물인 양극활물질 및 상기 양극활물질의 표면상에 코팅된 인산리튬층을 포함 |
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상세기술정보 3 | 기술명 | 기술요약 | ||
이차전지 양극활물질의 표면처리 방법 | ▷양극활물질을 인산으로 처리하여 양극활물질 표면의 잔류리튬화합물을 감소시키고 표면을 안정화하여 방전용량이 향상된 양극활물질을 제공함 |
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관련동영상 | ||||
기술분류(대) | 전기전자 | 기술분야 | 전기·전자 | |
적용분야 | 이차전지/모바일 기기, 휴대용 장치, 전자기기, 전기자동차(EV, HEV 등), 소규모의 에너지 저장 시스템 |
기술명 | |
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리튬 이차전지용 양극 재료 및 이를 포함하는 리튬이차전지 |
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권리구분 | 출원인 |
특허 | 세종대 산학협력단 |
대표발명자 | |
이름 | 소속학과 |
명승택
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나노신소재공학과 |
대표연구분야 | |
리튬이온이차전지 | |
출원번호 | 등록번호 |
10-2014-0102252 | 10-1514605 |
출원일 | 등록일 |
2014-08-08 | 2015-04-16 |
특허원문 | |
▷ 리튬-전이금속 산화물인 양극활물질 및 상기 양극활물질의 표면상에 코팅된 인산리튬층을 포함 | |
상세기술정보 | |
기술명 | 기술요약 |
이차전지 양극활물질의 표면처리 방법 | ▷양극활물질을 인산으로 처리하여 양극활물질 표면의 잔류리튬화합물을 감소시키고 표면을 안정화하여 방전용량이 향상된 양극활물질을 제공함 |
기술분야 | 적용분야 |
전기·전자 | 이차전지/모바일 기기, 휴대용 장치, 전자기기, 전기자동차(EV, HEV 등), 소규모의 에너지 저장 시스템 |