보유 지재권 리스트
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| 기술명 |
표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단,나노종합기술원,포항 나노융합기술원 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 정종완 | 나노신소재공학과 |
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| 대표연구분야 | ||||
| 출원번호 | 10-2018-0083021 | 등록번호 | 10-2156349 | |
| 출원일 | 2018-07-17 | 등록일 | 2020-09-09 | |
| 특허원문 | 본 발명은 기판 상에 에피택셜 공정이 아니라 증착 공정을 이용하여 형성하되, 각각 이격되어 나누어진 분할영역마다 비정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제 1 단계; 및 상기 증착 공정의 공정온도 보다 상대적으로 높은 온도에서 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 가열하여 상기 분할영역마다 결정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제 2 단계;를 포함하는, 표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법을 제공한다. |
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| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 재료 | 기술분야 | 재료·화학 | |
| 적용분야 | 반도체 소자, MEMS소자, 센서 | |||
| 기술명 | |
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표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단,나노종합기술원,포항 나노융합기술원 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
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정종완
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나노신소재공학과 |
| 대표연구분야 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2018-0083021 | 10-2156349 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2018-07-17 | 2020-09-09 |
| 특허원문 | |
| 본 발명은 기판 상에 에피택셜 공정이 아니라 증착 공정을 이용하여 형성하되, 각각 이격되어 나누어진 분할영역마다 비정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제 1 단계; 및 상기 증착 공정의 공정온도 보다 상대적으로 높은 온도에서 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 가열하여 상기 분할영역마다 결정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제 2 단계;를 포함하는, 표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법을 제공한다. | |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 재료·화학 | 반도체 소자, MEMS소자, 센서 |
