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| 기술명 |
흑린층을 활성층으로 포함하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 김덕기 | 전자정보통신공학과 |
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| 대표연구분야 | 반도체 소자 및 공정 | |||
| 출원번호 | 10-2019-0168802 | 등록번호 | 10-2259199 | |
| 출원일 | 2019-12-17 | 등록일 | 2021-05-26 | |
| 특허원문 | 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 제 1 전극과 이온화 가능한 금속을 함유하는 전기화학적으로 활성인 전도성막인 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 흑린층을 포함하는 활성층이 배치된다. |
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| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 전기전자 | 기술분야 | 전기·전자 | |
| 적용분야 | 반도체 소자, 저항 변화 메모리 소자 | |||
| 기술명 | |
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흑린층을 활성층으로 포함하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
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김덕기
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전자정보통신공학과 |
| 대표연구분야 | |
| 반도체 소자 및 공정 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2019-0168802 | 10-2259199 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2019-12-17 | 2021-05-26 |
| 특허원문 | |
| 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 제 1 전극과 이온화 가능한 금속을 함유하는 전기화학적으로 활성인 전도성막인 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 흑린층을 포함하는 활성층이 배치된다. | |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 전기·전자 | 반도체 소자, 저항 변화 메모리 소자 |