세종대 연구자를 소개합니다.
| 성명 | 김덕기 | ||||
| 학과 | 반도체시스템공학과 | ||||
| 연구분야 | 반도체 소자 및 공정 | ||||
| 연구실 |
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| 관련지재권 정보 | 발명의 명칭 | 출원 번호 | 등록 번호 | ||
| 세륨 산화물막을 활성층으로 포함하는 저항 변화 메모리 소자 | 10-2019-0168803 | 10-2345845 |
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| 흑린층을 활성층으로 포함하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 | 10-2019-0168802 | 10-2259199 |
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| 유기전자소자 제조방법 및 그에 의해 형성된 유기전자소자 | 10-2017-0006963 | 10-1896823 |
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| 양방향 정류 특성이 부여된 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 | 10-2019-0043229 | 10-2171177 | |||
| 성명 | 학과 |
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| 김덕기 | 반도체시스템공학과 |
| 연구분야 | |
| 반도체 소자 및 공정 | |
| 관련지재권 정보 | |
| 발명의 명칭 |
등록번호
특허공보
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| 세륨 산화물막을 활성층으로 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
10-2345845
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| 흑린층을 활성층으로 포함하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 |
10-2259199
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| 유기전자소자 제조방법 및 그에 의해 형성된 유기전자소자 |
10-1896823
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| 양방향 정류 특성이 부여된 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 |
10-2171177
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