기술이전센터에서 보유하고 있는 지재권을 자세히 소개해드립니다
| 기술명 |
멀티레벨을 갖는 저항변화메모리 소자 및 이의 제조방법 |
Image Not Found
|
||
| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 김덕기 | 전자정보통신공학과 |
|
||
| 대표연구분야 | 반도체 소자 및 공정 | |||
| 출원번호 | 10-2022-0187095 | 등록번호 | 10-2771633 | |
| 출원일 | 2022-12-28 | 등록일 | 2025-02-18 | |
| 특허원문 | 저항 변화 메모리 소자를 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 제 1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 니오븀 산화물막을 구비하는 저항변화 산화물막, 상기 저항변화 산화물막 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다. 상기 제2 전극은 상기 저항변화 산화물막에 접하는 계면이 상기 니오븀 산화물막으로부터 전달된 산소 이온에 의해 산화되어 형성된 전극 산화물막을 포함한다 |
|
||
| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 전기전자 | 기술분야 | 전기·전자 | |
| 적용분야 | 반도체 소자, 차세대 메모리 소자 | |||
| 기술명 | |
|---|---|
|
멀티레벨을 갖는 저항변화메모리 소자 및 이의 제조방법 |
|
| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
|
김덕기
|
전자정보통신공학과 |
| 대표연구분야 | |
| 반도체 소자 및 공정 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2022-0187095 | 10-2771633 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2022-12-28 | 2025-02-18 |
| 특허원문 | |
| 저항 변화 메모리 소자를 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 제 1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 니오븀 산화물막을 구비하는 저항변화 산화물막, 상기 저항변화 산화물막 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다. 상기 제2 전극은 상기 저항변화 산화물막에 접하는 계면이 상기 니오븀 산화물막으로부터 전달된 산소 이온에 의해 산화되어 형성된 전극 산화물막을 포함한다 | |
|
|
|
| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 전기·전자 | 반도체 소자, 차세대 메모리 소자 |