보유 지재권 리스트
기술이전센터에서 보유하고 있는 지재권을 자세히 소개해드립니다
기술명 |
페로브스카이트 퀀텀닷 기반 포토닉 시냅스 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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권리구분 | 특허 | |||
출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
임유승 | 스마트기기공학전공 |
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대표연구분야 | *주요연구분야 - Power semiconductor materials & devices - Neuromorphic devices - Wearable healthcare sensor platform - Biosensor platform for neurotransmitter detection | |||
출원번호 | 10-2023-0064389 | 등록번호 | 10-2784227 | |
출원일 | 2023-05-18 | 등록일 | 2025-03-17 | |
특허원문 | IGZO 채널층을 가진 수평형 트랜지스터의 소스/드레인/IGZO 채널층에 페로브스카이트 퀀텀닷층을 증착. 페로브스카이트 퀀텀닷으로 인해, 자외선에 반응하던 IGZO 채널층이 가시광에 반응. |
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상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
등록된 자료가 없습니다. | ||||
기술분류(대) | 전기전자 | 기술분야 | 전기·전자 | |
적용분야 | 생체 삽입 및 분해 가능한 전자 장치 |
기술명 | |
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페로브스카이트 퀀텀닷 기반 포토닉 시냅스 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
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권리구분 | 출원인 |
특허 | 세종대 산학협력단 |
대표발명자 | |
이름 | 소속학과 |
임유승
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스마트기기공학전공 |
대표연구분야 | |
*주요연구분야 - Power semiconductor materials & devices - Neuromorphic devices - Wearable healthcare sensor platform - Biosensor platform for neurotransmitter detection | |
출원번호 | 등록번호 |
10-2023-0064389 | 10-2784227 |
출원일 | 등록일 |
2023-05-18 | 2025-03-17 |
특허원문 | |
IGZO 채널층을 가진 수평형 트랜지스터의 소스/드레인/IGZO 채널층에 페로브스카이트 퀀텀닷층을 증착. 페로브스카이트 퀀텀닷으로 인해, 자외선에 반응하던 IGZO 채널층이 가시광에 반응. | |
상세기술정보 | |
기술명 | 기술요약 |
등록된 자료가 없습니다. | |
기술분야 | 적용분야 |
전기·전자 | 생체 삽입 및 분해 가능한 전자 장치 |