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| 기술명 |
양방향 정류 특성이 부여된 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 김덕기 | 전자정보통신공학과 |
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| 대표연구분야 | 반도체 소자 및 공정 | |||
| 출원번호 | 10-2019-0043229 | 등록번호 | 10-2171177 | |
| 출원일 | 2019-04-12 | 등록일 | 2020-10-22 | |
| 특허원문 | 추가의 선택소자를 구비하지 않고도 선택 소자 특성을 포함하는 저항 변화 메모리 소자를 제공 | |||
| 상세기술정보 3 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 서로 다른 조성의 구리산화물막들을 구비하여 양방향 정류 특성을 갖는 저항변화 메모리소자 | 양방향 다이오드 스위칭 특성을 갖는 제1 구리 산화물막과 양방향 저항성 스위칭 특성을 갖는 제2 구리 산화물막의 적층구조를 사용하여, 양방향 정류 특성을 갖는 저항변화 메모리소자를 구현함, 이를 통해 추가적인 선택소자가 필요하지 않은 crosspoint array 구현가능 |
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| 관련동영상 | ||||
| 기술분류(대) | 전기전자 | 기술분야 | 전기·전자 | |
| 적용분야 | 반도체 소자, 저항 변화 메모리 소자 | |||
| 기술명 | |
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양방향 정류 특성이 부여된 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
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김덕기
|
전자정보통신공학과 |
| 대표연구분야 | |
| 반도체 소자 및 공정 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2019-0043229 | 10-2171177 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2019-04-12 | 2020-10-22 |
| 특허원문 | |
| 추가의 선택소자를 구비하지 않고도 선택 소자 특성을 포함하는 저항 변화 메모리 소자를 제공 | |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 서로 다른 조성의 구리산화물막들을 구비하여 양방향 정류 특성을 갖는 저항변화 메모리소자 | 양방향 다이오드 스위칭 특성을 갖는 제1 구리 산화물막과 양방향 저항성 스위칭 특성을 갖는 제2 구리 산화물막의 적층구조를 사용하여, 양방향 정류 특성을 갖는 저항변화 메모리소자를 구현함, 이를 통해 추가적인 선택소자가 필요하지 않은 crosspoint array 구현가능 |
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| 기술분야 | 적용분야 |
| 전기·전자 | 반도체 소자, 저항 변화 메모리 소자 |