각 분야별 기술을 자세히 소개해드립니다.
| 기술명 | 서로 다른 조성의 구리산화물막들을 구비하여 양방향 정류 특성을 갖는 저항변화 메모리소자 | |||
| 기술요약 | 양방향 다이오드 스위칭 특성을 갖는 제1 구리 산화물막과 양방향 저항성 스위칭 특성을 갖는 제2 구리 산화물막의 적층구조를 사용하여, 양방향 정류 특성을 갖는 저항변화 메모리소자를 구현함, 이를 통해 추가적인 선택소자가 필요하지 않은 crosspoint array 구현가능 | |||
| 기술분야 | 6T | 대분류 | 적용분야 | |
| NT | 전기전자 |
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| 발명자 | 성명 | 소속학과 | 대표연구분야 | 연구실 |
| 김덕기 | 전자정보통신공학과 | 반도체 소자 및 공정 |
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| 관련지재권 정보 | 발명의 명칭 | 출원번호 | 등록번호 | |
| 양방향 정류 특성이 부여된 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 | 10-2019-0043229 | 10-2171177 | ||
| 기술명 | |
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| 서로 다른 조성의 구리산화물막들을 구비하여 양방향 정류 특성을 갖는 저항변화 메모리소자 | |
| 기술요약 | |
| 양방향 다이오드 스위칭 특성을 갖는 제1 구리 산화물막과 양방향 저항성 스위칭 특성을 갖는 제2 구리 산화물막의 적층구조를 사용하여, 양방향 정류 특성을 갖는 저항변화 메모리소자를 구현함, 이를 통해 추가적인 선택소자가 필요하지 않은 crosspoint array 구현가능 | |
| 기술분야 | |
| 6T | 대분류 |
| NT | 전기전자 |
| 중분류 | 소분류 |
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| 발명자 | |
| 성명 | 소속학과 |
| 김덕기 | 전자정보통신공학과 |
| 대표연구분야 | 연구실 |
| 반도체 소자 및 공정 |
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| 관련지재권 정보 | |
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발명의 명칭
등록번호
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출원번호
특허공보
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양방향 정류 특성이 부여된 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법
10-2171177
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