정종완 교수

정종완 교수 연구실은 뇌의 기능을 모방한 아날로그 뉴로모픽 컴퓨팅 분야에서 선도적인 연구를 수행하고 있습니다. 특히, 고속 동작과 높은 데이터 보존 특성을 가지는 Floating gate H-ECRAM 소자 및 어레이 기술 개발에 집중하며, 차세대 인공지능 반도체 구현을 위한 핵심 원천 기술을 확보하고 있습니다. 이러한 연구는 기존 폰 노이만 컴퓨팅 아키텍처의 한계를 극복하고, 저전력, 고효율의 인공지능 시스템 개발에 필수적인 요소입니다. 연구실은 소자 설계부터 공정, 특성 평가에 이르는 전 과정에 걸쳐 깊이 있는 전문성을 보유하고 있으며, 이론적 분석과 실험적 검증을 병행하여 기술의 신뢰성과 성능을 극대화하고 있습니다. 또한, 인공 시냅스 구현을 위한 다양한 재료 및 구조 연구를 통해 뉴로모픽 소자의 집적도와 연산 효율을 높이는 데 기여하고 있습니다. 본 연구는 미래 인공지능 시대의 핵심 인프라를 구축하는 데 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다.

본 연구실은 최선단 반도체 제조 공정 기술과 이를 위한 혁신적인 소재 개발에 주력하고 있습니다. 특히, 미세 공정의 필수 요소인 초고순도 프리커서 정제 기술 개발을 통해 반도체 소자의 성능과 수율을 향상시키고 있습니다. SiGe 및 III-V 화합물 반도체의 선택 에피 성장 장비 기반 기술 연구는 차세대 고성능 소자 개발에 필요한 핵심 공정 역량을 제공합니다. 또한, 반도체 및 디스플레이 챔버 클리닝 가스 대체용 CF3I 가스 개발을 통해 환경 친화적이면서도 효율적인 공정 솔루션을 제시하고 있습니다. 이러한 연구는 기존 반도체 공정의 한계를 극복하고, 더욱 작고 빠르며 안정적인 반도체 소자를 구현하는 데 기여합니다. 연구실은 소자 및 공정 엔지니어링에 대한 깊은 이해를 바탕으로 재료 합성, 증착, 식각, 세정 등 반도체 생산의 전 과정에 걸친 기술 최적화를 목표로 합니다. 이를 통해 글로벌 반도체 산업의 기술 경쟁력을 강화하고, 지속 가능한 성장을 위한 기반을 마련하고 있습니다.

정종완 교수 연구실은 혁신적인 2차원 물질을 활용한 차세대 센서 및 극한 환경 소자 연구를 활발히 수행하고 있습니다. 그래핀, MoS2, WS2 등 다양한 2차원 물질의 성장 및 특성 분석을 통해 고감도, 고선택성 센서 개발의 가능성을 탐구합니다. 특히, SiC 기반 극한 환경형 센서용 FET 소자의 설계 및 특성평가 연구는 고온, 고방사선 등 가혹한 환경에서도 안정적으로 작동하는 센서 기술을 제공하며, 이는 우주항공, 원자력, 자동차 등 특수 산업 분야에 필수적입니다. 또한, 2차원 물질의 독특한 전기적, 광학적 특성을 이용한 광검출기 및 에너지 소자 개발에도 매진하고 있습니다. 이러한 연구는 기존 센서의 한계를 뛰어넘어 더욱 정밀하고 신뢰성 높은 정보 획득을 가능하게 하며, 에너지 효율적인 소자 구현을 통해 지속 가능한 기술 발전에 기여합니다. 연구실은 2차원 물질의 잠재력을 최대한 활용하여 다양한 산업 분야에 적용될 수 있는 혁신적인 솔루션을 제시하며, 미래 센서 기술의 발전을 선도하고 있습니다.

2006.3~ 현재 (정교수)

2004~2006.2 (수석연구원) 차세대 CMOS Image Sensor 개발 이미지센서 소자, 공정, 집적 엔지니어

2001~2004 (Post-doctor ) 차세대 SOI, Strained Si, 소자 및 공정 엔지니어

1995~2001 (책임 연구원) Logic & DRAM Device Engineer/ Process Integration Engineer