기존 탄화실리콘(SiC) 박막은 높은 가격과 웨이퍼 단위 대면적 성장 시 발생하는 스트레스로 인해 말림 현상이 발생하여 고품질 소자 구현에 어려움이 있었습니다. 본 발명은 이러한 문제를 해결하고자 합니다. 증착 공정을 통해 기판의 분할영역마다 비정질 SiC 박막을 형성하고, 이를 고온 열처리하여 결정질 박막으로 전환하는 혁신적인 제조 방법을 제공합니다. 특히, 분할영역의 크기를 최적화하여 고온 처리 시 발생하는 스트레스를 효과적으로 완화하고 박막의 말림 현상을 완벽하게 방지할 수 있습니다. 이 기술을 통해 기판 전체에 걸쳐 표면 스트레스가 완화된 대면적 고품질 결정질 SiC 박막 구조체를 경제적으로 생산할 수 있게 됩니다. 이는 고전력, 고온 환경에서 사용되는 반도체 소자, MEMS 센서 등 다양한 첨단 전자부품의 성능 향상 및 상용화에 크게 기여할 것으로 기대됩니다. 본 기술에 대한 자세한 내용을 확인하시어 미래 산업 발전에 동참하시길 바랍니다.