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기존 MLCC(적층 세라믹 콘덴서) 및 반도체 High-k 재료는 3차원 바륨타이타네이트 분말 사용으로 100nm 수준의 두께 한계에 직면해 있습니다. 이러한 제약은 전자부품의 소형화 및 고성능화에 걸림돌이 됩니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하고자 10nm 이하 두께의 2차원 층상구조 바륨타이타네이트 나노시트 및 혁신적인 제조 방법을 제안합니다. 이 기술은 기존 3차원 방식의 한계를 극복하여 MLCC의 두께를 현저히 낮추고, 초박막 반도체 High-k 소재 개발에 필수적인 돌파구를 제공합니다. 특히, 습식 화학법을 통한 제조와 다양한 습식 코팅 공정 적용으로 경제성과 효율성을 높였습니다. 본 기술은 차세대 고성능 전자부품 개발에 크게 기여할 것입니다.

기존 MLCC(적층 세라믹 콘덴서) 및 반도체 High-k 재료는 3차원 바륨타이타네이트 분말 사용으로 100nm 수준의 두께 한계에 직면해 있습니다. 이러한 제약은 전자부품의 소형화 및 고성능화에 걸림돌이 됩니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하고자 10nm 이하 두께의 2차원 층상구조 바륨타이타네이트 나노시트 및 혁신적인 제조 방법을 제안합니다. 이 기술은 기존 3차원 방식의 한계를 극복하여 MLCC의 두께를 현저히 낮추고, 초박막 반도체 High-k 소재 개발에 필수적인 돌파구를 제공합니다. 특히, 습식 화학법을 통한 제조와 다양한 습식 코팅 공정 적용으로 경제성과 효율성을 높였습니다. 본 기술은 차세대 고성능 전자부품 개발에 크게 기여할 것입니다.


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