기존 홀 센서의 온도 민감성 및 낮은 분해능, GMR/TMR 센서의 패키징 한계는 자기 센서 응용에 제약을 주었습니다. 본 기술은 이상 홀 효과를 이용한 차세대 홀 센서 및 제조 방법을 제안합니다. 강자성층(CoFeSiB)과 비자성 금속층의 혁신적인 적층 구조를 통해 계면에 수직한 자계에 반응하여 온도 변화에 둔감하고 높은 감도를 자랑합니다. 특히, 단 한 번의 패터닝 공정으로 감지 영역, 전극, 패드부를 동시에 형성하여 제조 생산성을 획기적으로 향상시켰습니다. 다양한 산업 분야에 탄력적으로 적용 가능한 고성능 자기 센서를 만나보세요.