기존 반도체 ALD 공정에서 F(불소) 함유 전구체 사용 시 발생하는 소자 손상 및 신뢰성 저하 문제는 중대한 과제입니다. 본 기술은 이러한 문제를 해결하기 위해 디에틸아미노 보란(DEAB)을 포함하는 혁신적인 환원제 조성물을 제안합니다. DEAB는 F-free 금속 전구체(W 또는 Mo)의 리간드를 효과적으로 제거하여 고순도 금속 박막을 원자층 증착(ALD) 방식으로 형성할 수 있도록 돕습니다. 이는 반도체 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 획기적으로 향상시킬 수 있는 핵심 기술입니다.