차세대 반도체 소자에서는 저온에서도 우수한 특성을 갖는 실리콘 질화막 증착 기술이 필수적입니다. 본 기술은 질소 플라즈마 처리를 이용한 혁신적인 실리콘 질화막 증착 방법 및 장치를 제공합니다. 실리콘 전구체와 질소 함유 반응물로 수소 함유 실리콘 질화막을 형성한 후, 질소 플라즈마 처리로 수소 함량을 효과적으로 감소시켜 저온에서도 고품질의 실리콘 질화막을 구현합니다. 이는 박막의 전기적 특성을 향상시키고, 실리콘 전구체 소모량을 줄여 공정 시간을 단축하는 등 차세대 반도체 공정의 효율성과 성능을 극대화하는 솔루션입니다.