차세대 비휘발성 메모리인 상변화 메모리(PCM)의 고집적화는 셀 간 간섭 및 층간 물질 이동 등의 문제로 기술적 한계에 직면해 있습니다. 본 기술은 이러한 문제를 해결하고자 원자층 증착법(ALD)을 활용하여 Ti-Te 막을 정밀하게 증착하는 방법을 제공합니다. 특히, 이 Ti-Te 막은 상변화 물질의 Ti 도핑 및 다층 구조 내 확산 방지막으로 기능하여 소자의 열안정성을 크게 향상시키고 층간 원소 이동을 효과적으로 억제합니다. Ti 도핑 농도 조절을 통해 선택소자와 메모리 소자를 유연하게 설계할 수 있어, 고성능 및 고집적 상변화 메모리 소자 개발에 핵심적인 기여를 할 것으로 기대됩니다.