기존 메모리 소자의 초소형화 및 고집적화 한계를 극복하고, 멀티레벨 구현의 필요성이 대두되고 있습니다. 본 발명은 이러한 문제 해결을 위해 혁신적인 멀티레벨 저항 변화 메모리 소자와 그 제조 방법을 제공합니다. 특히, 니오븀 산화물막과 산소 이온 이동을 활용한 전극 산화물막 형성 기술을 통해, 일렉트로포밍 공정 없이도 안정적인 다중 저항 상태를 구현합니다. 이는 저전력, 고집적 차세대 비휘발성 메모리(ReRAM) 개발에 필수적이며, 메모리 성능과 효율을 크게 향상시킬 수 있는 핵심 기술입니다.