기존 저항 변화 메모리(ReRAM)는 소형화 및 집적도 향상을 저해하는 별도의 선택 소자가 필요하다는 한계가 있었습니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하고자 외부 선택 소자 없이도 자체적으로 양방향 정류 특성과 저항 스위칭 특성을 동시에 발휘하는 혁신적인 저항 변화 메모리 소자를 제공합니다. 제1 구리 산화물막의 바이폴라 다이오드 스위칭과 제2 구리 산화물막의 구리 필라멘트 기반 저항성 스위칭을 결합하여, 고집적 크로스 포인트 어레이 구현이 가능합니다. 또한, 저비용 용액법과 정교한 어닐링 분위기 제어를 통해 높은 온/오프 비율(10^4)과 안정적인 동작 특성을 확보하여 차세대 비휘발성 메모리 시장을 선도할 기술입니다.