기존 비휘발성 메모리는 소비전력과 집적도 측면에서 한계를 가지고 있습니다. 본 기술은 이러한 문제 해결을 위해 2가 또는 3가 금속 이온이 도핑된 세륨 산화물층을 활성층으로 활용하는 저항 변화 메모리 소자를 제안합니다. 이 소자는 활성층 내 풍부한 산소공공을 통해 초기 일렉트로포밍 단계를 생략하고, 낮은 셋 전압으로 동작하여 전력 소비를 획기적으로 줄입니다. 이를 통해 차세대 비휘발성 메모리의 효율성과 성능을 크게 향상시킬 수 있습니다.