본 기술은 기존 메모리의 한계를 극복하고 차세대 비휘발성 메모리 개발에 기여하는 흑린 기반 저항 변화 메모리(ReRAM) 소자 및 제조 방법을 제공합니다. 특히, 흑린층을 활성층으로 활용하여 1V 미만의 낮은 동작 전압과 최대 10^5의 우수한 온/오프 비율을 달성하여 저전력, 고성능 특성을 구현합니다. 이는 전력 소비 증가 없이 소자 집적도를 높이는 핵심 기술로서, 고밀도, 고효율 메모리 소자 개발을 가속화할 것입니다. 안정적인 저항 스위칭 특성과 효과적인 제조 방법을 통해 미래 반도체 산업의 혁신을 이끌어갑니다.